移动通信网 云坪
10月21日，据路透社报道，多名知情人士证实，三星电子与SK海力士正在推进各自中国工厂的先进存储芯片升级计划，目标是在华生产层数超过200层的NAND闪存芯片，使中国本土产能与韩国本土技术水平看齐。这一动向打破了2022年以来美国出口管制造成的投资僵局。两家公司向路透社确认，升级工作在与华盛顿方面密切磋商下推进，但未披露具体生产计划细节。自美国对部分芯片制造设备实施出口管制以来，在华安装蚀刻机等美国制造设备需每年向美国申请许可，而美国商务部工业与安全局2025年曾表态无意批准外国芯片厂商升级中国工厂技术并扩大产能。两家韩企高管此前公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱其中国业务，此番升级落地，标志着博弈出现了新的平衡点。
【关键数据】
[1] 长江存储中国NAND市场份额达38.5%（2025年第二季度，同比提升10.5个百分点）
[2] 三星西安工厂占其全球NAND总产量约40%，将升级至286层V9 NAND
[3] 三星Monami项目月产量规划：2025年12月达5000片晶圆，2027年12月达4万片晶圆
[4] 三星中国NAND份额从36%降至33.5%，SK海力士从20%降至17%
[5] SK海力士大连工厂从192层升级至240层及以上，获准上限为240层
技术层面，此次升级的核心是NAND闪存3D堆叠层数的跃迁。三星位于西安的工厂目前生产约200层的NAND芯片，作为内部代号“Monami”项目的一部分，该工厂正改造为生产286层堆叠的V9 NAND芯片。按计划，项目将于今年12月实现每月5000片晶圆的产量，到2027年12月将月产能提升至4万片晶圆，产能爬坡周期长达两年。SK海力士方面，其大连工厂目前生产192层产品，计划转向240层及以上NAND产品的生产，并可能寻求美国许可在大连开展300层以上芯片的研发工作，为未来在美国量产做技术储备。作为对比，三星在中国以外市场销售最高达286层的NAND芯片，并于今年8月发布超过400层的NAND芯片原型，SK海力士销售的产品最高达321层。三星强调，此次升级符合美国出口管制规定，旨在满足全球客户不断增长的需求（包括美国客户），并未扩大产能，也没有新建制造设施——这一表态是获得美方放行的关键前提。
市场格局方面，此番升级背后是激烈的份额争夺战。Omdia数据显示，今年第二季度，长江存储在中国NAND闪存市场的份额已达到38.5%，较2025年全年的28%大幅提升10.5个百分点，正式超越三星成为中国市场第一。三星的中国市场份额从36%下滑至33.5%，SK海力士则从20%降至17%，两大韩企合计份额从56%萎缩至50.5%。若不升级在华产线，两家韩企与中国本土厂商的技术代差将快速收窄。三星西安工厂占其全球NAND总产量的约40%，是其NAND业务的绝对核心基地；SK海力士大连工厂是其2021年收购英特尔NAND业务时获得，至今仍是该业务（现更名为Solidigm）唯一的NAND芯片制造基地。SK海力士还可能通过大连工厂的300层以上研发积累，为美国新建NAND工厂铺路——目前该公司正与特朗普政府商讨在美国建设一座新的NAND工厂。
从产业链角度看，此次升级牵动全球存储供应链的多个环节。设备端，蚀刻机、沉积设备等美国制造的芯片制造设备是3D NAND堆叠层数提升的关键工具，层数从192层、200层提升至286层甚至300层以上，对高深宽比蚀刻和堆叠工艺的精度要求大幅提高，这正是美方出口管制的核心标的。许可机制上，两家公司每年需向美国申请许可，形成了年度审查的不确定性风险。产能结构上，三星明确“不扩产能、不新建设施”，意味着升级是通过存量产线的工艺改造实现，资本开支相对可控。Solidigm正在筹备美国首次公开募股（IPO），大连工厂的技术水平将直接影响其估值锚点。对上游材料供应商而言，4万片晶圆/月的286层产量意味着对高纯度硅片、特种气体和 CMP 材料需求的同步升级，中国本土配套供应商有望受益。
商业化落地方面，双方的时间表已经清晰。三星Monami项目分两阶段推进：2025年12月首先实现月产5000片晶圆，2027年12月达到月产4万片晶圆的满产目标，产品为286层V9 NAND，面向全球客户包括美国客户供货。SK海力士大连工厂将从192层产品切换至240层及以上产品，240层是其目前获准在大连生产的层数上限。应用场景上，200层以上高层数NAND是AI数据中心、企业级SSD和高端消费存储的主流选择，单颗芯片容量的提升直接摊薄了数据中心每TB存储成本。值得关注的是，三星8月发布的400层以上原型和SK海力士321层产品表明，韩企最尖端产品仍将保留在韩国本土及海外新基地生产，中国工厂的定位是“先进但非最尖端”，这种梯度安排既满足在华客户需求，也回应了美方对技术扩散的关切。
行业走向上，这一事件折射出三重变化。第一，出口管制正从“一刀切禁止”演变为“逐案许可、年度审查”的精细化管理模式，三星所谓“升级不扩产”的表述为外企在华技术升级提供了一套可复制的合规话术。第二，长江存储以38.5%的中国市场份额登顶，证明中国本土NAND厂商已具备200层级产品的大规模量产能力，倒逼韩企必须维持在华产线的技术同步，否则将持续丢失全球最大存储消费市场。第三，存储巨头的产能布局呈现“中国升级+美国新建”的双线策略，SK海力士与美国政府商讨新建NAND工厂、Solidigm筹备IPO、300层以上研发前置到许可审批，均显示韩企在两条地缘轨道间寻求平衡。三星西安40%的全球NAND产能与SK海力士大连的唯一NAND基地地位，决定了两家公司在华战略无法轻言退出，2025年12月西安工厂首批5000片晶圆月产量能否如期落地，将成为检验这套新平衡机制的第一个试金石。
