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【移动通信网】日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）公布了2016年的“Super12”特色产品。每年，Vishay都会挑出12款半导体器件和无源元件，这些器件采用新的和改进后的技术，能够显著提高终端产品和系统性能。Vishay的Super12明星精选产品代表了公司在半导体和无源器件领域的领先水平，让人能够从中管窥Vishay宽泛的产品组合。
2016年的Super12明星精选产品如下：
VishayT58系列vPolyTan"固钽表面贴装片式电容器—T58系列采用聚合物钽技术和Vishay的高效MicroTan®封装，实现了业内最好的容量-电压等级，有6个模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V产品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V产品—具有更高的容积效率，可用于手持式消费电子产品。
VishaySemiconductorsVEML6075UVA和UVB光传感器—VEML6075采用小尺寸2.0mmx1.25mmx1.0mm封装，在可穿戴设备、智能手机和粒子探测器中能节省空间，是业内首颗带独立通道输出，可测量真实UV指数的UVA和UVB光传感器。
VishayBCcomponents220ELDCENYCAP"系列双层储能电容器—220ELDCENYCAP系列器件可用于能量采集、备用电源和UPS电源应用，功率密度高达0.041Wh，在2.7V下的电容值从15F到40F，使用小型16mmx20mm至18mmx31mm封装。
VishayGeneralSemiconductorTPC11CA～TPC36CA表面贴装PAR®瞬态电压抑制器(TVS)—这些器件通过AEC-Q101认证，是业内首批峰值功率耗散达到1500W的双向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封装。器件的工作结温达到+175℃，满足汽车、工业和通信应用对高可靠性的要求。
VishayDaleThinFilmPCAN系列高功率薄膜片式电阻—PCAN电阻是在氮化铝衬底上制造的，额定功率达到6W，阻值从2Ω到30kΩ，外形尺寸为1206和2512。电阻适合用在工业、国防和医疗应用中的缓冲电路和载荷、栅极负载和放大器端接电阻。
VishaySiliconixSUM70040E/SUP70040E100VN沟道MOSFET—ThunderFET®功率MOSFET的最大导通电阻为4mΩ，比前一代器件的每平方毫米的导通电阻低60%，在从太阳能微逆变器到电动汽车充电站的各种应用中能大大降低功率损耗，提高效率。
VishaySfernicePLA51中功率平面变压器—PLA51平面变压器的功率从1kW到3kW，尺寸为70mmx53mmx22mm，提供超过99%的高效率，典型应用为DC/DC功率转换器、电动汽车的车载充电器、电源控制冷却单元和太阳能逆变器。
VishaySiliconixSiC530VRPower®集成式DrMOS功率级—SiC530将驱动、高边及低边MOSFET组合在3.5mmx4.5mm的PowerPAK®封装里，占位面积比分立式方案小45%，但却具有连续电流达30A，峰值电流40A的高功率密度。
VishayDraloricTNPV系列高压薄膜片式电阻—TNPV薄膜片式电阻是业内首个工作电压达到1000V的此类器件，能替代更大的电阻和近似外形尺寸的多颗器件，来节省电路板空间，降低成本。这些电阻具有低电压系数、严格的公差和低温度系数，可用于精确电压测量。
VishaySiliconixSiHH26N60E/600VE系列功率MOSFET—600VMOSFET采用小尺寸PowerPAK8x8封装，比TO-263(D2PAK)封装的器件小57%，高度只有其1/5。另外，MOSFET的Kelvin源连接通过减少栅极接地回路，提高了性能。
VishayDaleIHLD系列超薄、大电流双片电感器—IHLD系列器件在汽车和商用D类放大器中能节省空间，两个IHLP®型电感器垂直地放在3232或4032封装内。器件具有软饱和特性，两个相邻电感器之间实现低耦合，失真少，可输出高质量的音频。
VishayGeneralSemiconductorV35PWxxx/V40PWxxxTMBS®整流器—整流器的电流密度达到40A，采用高度1.3mm的表面贴装SlimDPAK封装。V35PWxxx/V40PWxxx比DPAK封装薄57%，散热面积多14%，热性能更好。
Vishay的Super12明星精选产品的更多信息，请访问http://www.vishay.com/landingpage/super12/2016/。
