移动通信网 云坪
2026年上半年，我国光模块及光器件上市公司业绩迎来历史性爆发，产业链景气度攀至高位。头部企业盈利能力尤为突出：中际旭创上半年净利润达136.51亿元，同比大涨241.7%；新易盛净利润75.29亿元，同比增长90.98%；剑桥科技净利润3.28亿元，同比增长171.08%；光库科技归母净利润1.48亿元，同比增长186.09%；天孚通信归母净利润12.04亿元，同比增长33.92%。这轮增长的驱动力来自AI算力基建对800G光模块的爆发式需求，以及1.6T方案的加速导入。然而繁荣数据背后隐藏结构性风险：当前增长高度依赖海外供应的核心上游环节。从高端光芯片、高速电芯片到磷化铟（InP）衬底等基础材料，关键技术仍被少数海外厂商垄断，一旦供应链出现扰动，国内光互连产业的持续扩张能力将面临严峻挑战。
【关键数据】
[1] 中际旭创2026年上半年净利润136.51亿元，同比增长241.7%
[2] 2026年全球InP衬底需求260-300万片，有效产能仅约75万片，供需缺口超70%
[3] 海外厂商占全球高质量InP衬底供应比例超90%
[4] 鑫耀半导体投资1.89亿元扩产，新增年产InP衬底30万片
[5] 源杰科技100mW及以下CW激光器出货，已成为全球第二大CW芯片供应商
高端光芯片是当前最尖锐的瓶颈，EML（电吸收调制激光器）、大功率CW激光器和200G PD三类器件尤为突出。EML集成激光器与调制功能，是800G及1.6T光模块发射端技术壁垒最高的芯片，全球量产能力集中于Lumentum、Coherent、三菱电机等少数厂商。国内在100G及以下中低端EML已实现较好替代，东山精密（索尔思光电）、源杰科技、长光华芯、三安光电等均量产100G EML，其中索尔思光电是国内唯一大规模量产200G EML并对外供货的厂商，源杰科技200G PAM4 EML正处于客户验证阶段。而Lumentum等早在2023-2024年就已量产200G EML并占据稳固份额，差距依然明显。大功率CW激光器方面，1.6T硅光方案需外部提供150mW级高功率连续光载波，该领域几乎被Lumentum和Coherent垄断，源杰科技虽已成为全球第二大CW芯片供应商，在100mW及以下功率产品规模化出货，但150mW级产品尚未量产。200G PD作为1.6T接收端通用核心器件，全球能稳定供应的厂商仅MACOM和Broadcom两家，国内希烽光电、信盛捷、熹联光芯已送样但未通过大规模可靠性验证。
电芯片是另一大“卡脖子”环节，DSP、Driver、TIA、CDR构成高速光模块的“电引擎”。DSP被称为光模块的“大脑”，负责高速信号编解码、均衡、色散补偿与误码控制，需采用7nm及以下先进制程，目前由Marvell、Broadcom、Semtech等美国企业主导。国内华为海思有自研DSP但仅用于内部设备，商业化领域几乎空白；优迅股份已实现155Mbps—100Gbps速率光通信电芯片批量出货，性能指标达到国际头部公司同类产品水平。Driver市场同样被Semtech、Broadcom、MACOM垄断，随着速率提升至200G/通道，性能要求急剧提高，优迅股份在低速率领域实现国产替代，但200G产品仍处研发验证阶段。TIA作为接收端关键芯片，需将PD产生的微弱电流转换为电压信号，200G PD配套TIA要求超过50GHz带宽，全球由Marvell、Semtech、Analog Devices把控；国内优迅股份、芯速联已发布或送样100G/通道TIA（对应35-45GHz带宽），满足50GHz以上模拟带宽的200G TIA尚无公开量产案例。
产业链最上游的基础材料环节，InP衬底的地位举足轻重。InP天然具备高频低传输损耗、优异的光电转换效率，并适配多层光电结构外延生长，是制造EML和大功率CW激光器的核心衬底材料，直接决定上游光芯片的性能与产能供给。但InP单晶生长工艺复杂、良率低、成本高，大尺寸高质量衬底制备技术被日本住友电工、美国AXT、JX金属等少数企业垄断，海外厂商在全球高质量InP衬底供应中占比超过90%。此外InP还面临全行业性产能紧缺：根据Omdia和Yole联合报告，2026年全球InP衬底需求将升至260-300万片，而有效产能仅从2025年的60-70万片增长至75万片左右，供需缺口超过70%，紧张格局预计至少持续至2028年以后。Lumentum总裁兼CEO Michael Hurlston今年7月表示，InP短缺程度已超过DRAM和NAND，公司电信客户订单量从“数百件”级别跃升至“数亿件”，订单排期已延伸至2028年，即便与竞争对手全力扩产也追不上需求增长。
面对上游瓶颈，国产替代正在多点突破，商业化进展呈现出明显的梯度特征。InP衬底环节，在华为海思等下游厂商推动下取得实质进展：云南锗业旗下鑫耀半导体2025年产能约10万片，2026年4月宣布投资1.89亿元扩产，新增年产30万片产能，7月已披露签署数亿元InP衬底订单。光芯片环节，索尔思光电200G EML实现大规模量产并对外供货，打破了海外厂商在该速率段的独家供应格局；源杰科技凭借100mW及以下CW产品跻身全球第二大供应商，其200G EML和150mW级CW正推进研发与客户验证。电芯片环节，优迅股份覆盖155Mbps—100Gbps速率段的批量出货，为低速率市场提供了替代方案，但100G以上速率段的产品化仍需时间。从应用场景看，800G光模块是当前AI数据中心主力需求，1.6T方案则代表下一代方向，对200G EML、150mW CW激光器、200G PD及配套DSP/TIA的需求将快速放大，国产厂商能否在窗口期内完成验证导入，直接决定其在中高端市场的份额。
产业链上下游的博弈正在重塑行业格局。下游光模块厂商上半年业绩爆发带来的充足现金流，为向上游延伸提供了资本支撑，中际旭创136.51亿元、新易盛75.29亿元的净利润规模，足以支撑对光芯片、电芯片环节的持续投资。上游环节的超高景气度也在改变供应关系，Lumentum订单排期已至2028年，海外芯片与衬底厂商议价能力显著增强，国内光模块厂商面临成本上升与供应保障的双重压力，这将倒逼其加速扶持国产供应链。InP供需缺口超过70%的局面下，国产衬底即使良率略逊国际先进水平，也有望凭借供应确定性获得下游订单，鑫耀半导体数亿元订单即是例证。未来两到三年将是关键窗口期：1.6T光模块规模化商用临近，200G EML、200G PD、200G TIA、7nm DSP的国产化进度，以及InP衬底良率提升与30万片新增产能的落地节奏，将共同决定我国光互连产业能否从下游组装制造优势，向上游核心器件自主可控转型，摆脱对海外供应链的结构性依赖。
