长鑫科技宣布年底推出融合4F?架构的DDR5 RDIMM产品

近日在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇全面介绍了公司在DRAM器件、4F?架构及混合键合等方向的技术探索。长鑫科技正式官宣，预计今年年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构较行业主流的6F?可提升存储密度，长鑫通过自研VSG晶体管实现底层创新，以解决漏电与短沟道效应问题。DDR5 RDIMM面向服务器市场，需满足高稳定性与强兼容性要求。