长鑫存储预计年底推出融合4F?架构的DDR5 RDIMM产品
《科创板日报》10日披露，长鑫存储4F? DRAM架构研发近期取得关键进展。公司总裁曹堪宇博士出席第四届集成芯片和芯粒大会并发表演讲，系统梳理了长鑫存储在DRAM器件开发、4F?架构优化及混合键合工艺等环节的技术探索与前期积累。
针对后续产品规划，曹堪宇在会上明确表态，长鑫存储预计于今年年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该信息同步公开了企业当前的研发进度与产品发布时间表。
要点速览
- 长鑫存储4F? DRAM架构研发获关键进展
- 总裁曹堪宇在集成芯片大会发表技术演讲
- 全面介绍DRAM器件及混合键合等方向积累
- 关键数字：10日披露，预计年底推出新品
本文为移动通信网（MSCBSC）整理发布的行业快讯。