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0 引言
随着宽带无线通信技术的不断发展和市场的不断扩大，802.11a标准的5 GHz无线射频频段以其数据传输速率快、信号质量好、干扰小等优点得到了越来越广泛的推广；随着CMOS工艺的进步．使其生产出的高集成度、低价、低功耗射频芯片比砷化镓工艺或双极性硅工艺的芯片具有明显的性价比优势，而压控振荡器(VCO)是射频通信系统中非常重要的组成元件之一。它主要应用于锁相环路和频率合成器中来实现精确的参考频率，对通信系统的性能至关重要。本文用先进的0．18μm CMOS工艺设计了一个工作在802．11a标准的振荡器。
1 振荡器原理
振荡器是把直流电流转换为周期变化的电压信号的电路，主要分为环形振荡器和电感电容振荡器。环形振荡器有较大的协调范围，易于集成而且占用面积小，但是环形振荡器的工作频率较低，且相位噪声差，影响了它在射频领域的应用。因为本文所要设计的振荡器频率要达到802．11a标准的5 GHz频段，已经达到射频级别，所以本文采用电感电容振荡器。
1．1 LC振荡器基本原理
最基本的LC振荡器由三部分组成，电感变容管、电感和补偿无源器件损耗的负阻，结构如图1所示。
如果忽略振荡电路的晶体管寄生电容对振荡频率的影响，那么LC振荡器的频率表达式为：
根据公式(1)，改变LC就可以改变振荡器的频率。
1．2 平面螺旋电感
由(1)式可以看出，在射频电路里，电感是最重要的参数。选用高Q值电感可以降低损耗，使振荡器在较小的跨导也可起振，这样就降低了起振的门槛。另外高Q值电感可以降低振荡器的相位噪声。在CMOS工艺中有两种电感可以选择，一种是键合线电感，另外一种是平面螺旋电感。由于图形对称良好的电感可以减少寄生电阻和寄生电容，减小电感消耗的能量，可以提供高Q值，因此本设计采用的是平面螺旋电感。
1．3 变容二极管的选取
CMOS工艺中可以制作两类类型的变容管：变容二极管(JV)和MOS变容二极管。下面分别介绍之。
1．3．1 变容二极管(JV)
变容二极管等效电路如图2所示。
其中Rc代表二极管的串联电阻，它主要是由于N阱材料的电阻率很高而形成的。另外N阱与衬底呈现相当大的电容，用Cn表示。在实际制作过程中可以用N+阱环绕P+阱，那样会使流经电容的电流有四个方向而得到较低的串联电阻值。反偏二极管的电容和电压的关系可用下式表示：
C0是外加电压为零时二极管的电容值，φ是结两边半导体的接触电势差，VR为控制电压。m是二极管电容的非线性系数，它和结两边的掺杂浓度的分布有关系，一般m的值在0.03～0.04之间。
1．3．2 MOS变容管
MOS变容管是把普通的MOS晶体管的源极(S)，漏极(D)以及衬底(B)连接起来，即B=D=S，使它变成一个两端器件，就可以把它看成电容。电容的大小受栅极电压(G)和衬底电压控制。
由式(2)就可以推导出MOS电容为：
由式(3)可以看出MOS电容和氧化层与硅之间的电容Cax，硅感应电荷产生的电容CS有关。
1．3．3 可变电容的性能参数
可变电容的参数对LC压控振荡器性能影响显著，譬如可变电容比、品质因数Q和截止频率fT都是很关键的参数。可变电容在外加电压的调节下电容发生变化，设Cmax，Cmin为它变化的最大最小电容。可变电容μ=Cmax/Cmin，由此可以看出可变电容比越大，振荡器可以调节的频率范围也就越大。有时候可用电容调制系数γ来表示变容管的相对变化量；
γ越大，可实现的频率调节范围就越宽。电容的品质因数表示了电容在一个振荡周期存储的能量和消耗的能量的比值，可以用式Q=l／2πfCR3表示。f是它的工作频率，R3是它的串联电阻。一般情况下Q和工作的频率有关，所以在说变容管的Q值时，必须指明它工作的频率。
通常定义使Q等于1的频率为变容管的截止频率，此时f=1／2πCR3截止频率决定了变容管的工作上限，一般它的工作频率要远小于截止频率fT。
在本论文所选用的0.18μm CMOS工艺中，可变电容有两种，因为变容二极管存在着导通电压的问题，所以我选用了变容MOS管。MOS变容管分为PMOS和NMOS，因为和NMOS管相比PMOS变容管具有衬底噪声小，品质因数大，闪烁噪声小的优势，所以，本振荡器选择的是PMOS可变电容。在这里本文根据各方面综合因素考虑最终选取电容为指数为12，长为10μm，宽为0.5μm的电容，最小电容值0.25 pF，最大电容值0.6 pF，可调范围为0.35 pF。
