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日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK®8x8封装的600VE系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的VishaySiliconixSiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装PowerPAK8x8封装符合RoHS，无卤素，完全无铅，可替换传统的TO-220和TO-263封装的产品，达到节省空间的效果。
PowerPAK®8x8的结构定义一个源极pin脚为专用的Kelvin源极连接脚，把栅极驱动的返回路径从主要承载电流的源极端子上分开。这样就能防止在大电流路径上出现Lxdi/dt电压降，避免施加到E系列MOSFET上的栅极驱动电压出现跌落，从而在通信、服务器、计算机、照明和工业应用的电源实现更快的开关速度和更好的耐噪声性能。
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V电压下导通电阻低至0.135Ω，栅极电荷低至31nC。以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。这些数值意味着极低的传导和开关损耗，在功率因数校正、反激式转换器，服务器和通信电源的双开关正激转换器，HID和荧光镇流器照明，消费和计算设备电源适配器，电机驱动、太阳能电池逆变器，以及感应加热和焊接设备中可以实现节能。
这些MOSFET可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲，保证极限值100%通过UIS测试。
器件规格表：
产品编号
VDS (V)
VGS (V)
ID (A) @ 25 °C
RDS(ON) (&) @ 10 V (max.)
Qg (nC) @ 10 V
(typ.)
CISS typ.
(pF)
SiHH26N60E
600
± 30
25
0.135
77
2815
SiHH21N60E
600
± 30
20
0.176
55
2015
SiHH14N60E
600
± 30
16
0.228
41
1416
SiHH11N60E
600
± 30
11
0.339
31
1076
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十六周。
