移动通信网 赵哲超
9月28日晚间，国产DRAM大厂长鑫科技发布公告称，公司召开第二届董事会第六次会议，审议通过《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》，拟使用超募资金合计180亿元投资两大新项目，该议案尚需提交股东会审议。这是长鑫科技完成A股上市后首次大规模动用超募资金，投向方向直指DRAM技术研发与测试环节。根据公告披露，长鑫科技首次公开发行A股76.91亿股（含超额配售选择权全额行使），募集资金总额高达666.07亿元，扣除发行费用2.96亿元后，募集资金净额为663.10亿元。公司原计划募集资金295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目三大方向。最终实际募集资金远超计划，超募金额达到368.10亿元，超募比例接近125%。募集资金已于2026年7月22日到账，截至公告日超募资金尚未使用，此次180亿元的投资安排是超募资金的首笔重大投向，剩余超募资金如何使用仍待后续公告披露。
【关键数据】
[1] 超募资金368.10亿元
[2] 拟投入新项目超募资金180亿元
[3] IPO募集资金总额666.07亿元
[4] 两大新项目投资总额241亿元和108亿元
[5] 建设周期分别为30个月和37个月
从公告细节看，此次投资的两大新项目投资总额分别为241亿元和108亿元，建设周期分别为30个月和37个月，两个项目合计投资规模达349亿元，180亿元超募资金将作为项目资本金的重要来源，其余部分可能通过自有资金或债务融资补足。长鑫科技作为国内唯一实现DRAM大规模量产的存储器厂商，其技术路线一直围绕19nm、17nm节点演进，当前正加速向16Gb DDR5、LPDDR5等主流产品规格靠拢。DRAM测试环节是存储器制造中不可或缺的工序，晶圆测试（CP）与成品测试（FT）直接决定良率数据与出货品质，测试设备投入通常占存储器产线总投资的10%至15%。此次将测试项目单列并投入百亿级资金，反映出长鑫在产能扩张之外，对产品验证能力、可靠性与良率爬坡能力的系统性补强。30个月和37个月的建设周期意味着两大项目预计在2029年至2030年间建成投产，与DRAM行业周期性上行窗口形成时间上的契合。
从市场格局看，全球DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家垄断，三家合计份额长期维持在95%左右。根据TrendForce数据，2024年全球DRAM市场规模约800亿美元，长鑫科技目前市占率约5%至6%，排名全球第四，但在HBM（高带宽内存）等高端产品上与国际三强仍有代际差距。SK海力士2025年资本开支计划超过20万亿韩元，三星半导体部门年度资本开支同样维持在50万亿韩元量级，相比之下长鑫此次180亿元（约合25亿美元）的投入规模仍属审慎。不过，对于国产存储产业链而言，这一投资的意义在于缩小差距：国内AI服务器、智能手机、汽车电子对DDR5、LPDDR5X的需求快速上升，2025年上半年国内存储芯片进口额仍超500亿美元，国产替代空间巨大。长江存储主攻NAND闪存，长鑫科技独扛国产DRAM大旗，两大存储基地合计承担了国产存储自给率从当前约20%向更高水平跃升的任务。
产业链层面，长鑫科技的大额投资将直接拉动国内半导体设备及材料供应商。DRAM产线中，刻蚀、薄膜沉积、光刻、测试设备占设备投资的绝大部分，此前国内设备厂商如中微公司、北方华创、精测电子、长川科技等已在长鑫供应链中批量供货。其中测试环节的国产化率近年提升明显，长川科技、华峰测控、精智达等企业的存储测试机已进入长鑫产线，此次108亿元的测试类项目若延续国产化采购导向，将为国产测试设备厂商带来确定性订单。材料端，雅克科技的前驱体材料、鼎龙股份的CMP抛光垫、江丰电子的靶材均已通过长鑫验证。从成本结构看，DRAM制造中折旧成本占比约30%至40%，晶圆厂建设资本强度极高，一座月产能10万片的先进DRAM工厂总投资通常超过100亿美元。长鑫通过IPO募资666.07亿元，显著降低了债务融资压力，为后续多轮扩产预留了资产负债表空间，这也是超募资金带来的战略弹性。
商业化进展方面，长鑫科技旗下长鑫存储的DDR4、LPDDR4X产品已在国内手机、电视、网通市场实现规模出货，客户涵盖传音、中兴、兆易创新（合作模式）等。DDR5产品方面，长鑫已于2024年至2025年间陆续推出DDR5内存芯片并进入国产PC与服务器供应链，2025年其DDR5出货占比持续提升。在具体落地案例上，搭载长鑫颗粒的国产内存条已在国内电商渠道形成规模销售，部分服务器厂商的国产化机型中也开始采用长鑫DRAM模组。此外，长鑫在HBM领域的研发已有布局，其HBM相关专利申请数量位居国内前列，但量产时间表尚未公布。此次两大新项目中，研发类项目241亿元的投资规模远超测试项目，指向下一代DRAM工艺节点、新型存储结构与HBM堆叠技术的持续攻关。按30个月建设周期推算，项目投产后长鑫的技术平台与产能规模将同步上一个台阶。
从行业趋势看，DRAM行业正处于AI驱动的超级周期前夜，HBM需求爆发推动SK海力士、三星、美光纷纷将资本开支向HBM和先进DRAM产能倾斜，2026年全球DRAM资本开支预计超过500亿美元。长鑫科技在上市首月即抛出180亿元投资计划，节奏之快超出市场预期，显示公司管理层希望抓住行业上行窗口快速扩产。对国内产业链而言，长鑫的扩产将带动合肥存储产业集群继续扩容，目前合肥已聚集上下游企业超过200家，形成从设计、制造、封测到材料的完整配套。风险方面，DRAM价格周期波动剧烈，2023年行业曾陷入全行业亏损，三星、SK海力士单季营业利润一度转负，长鑫需要在扩产节奏与周期波动之间寻找平衡。此次议案尚需股东会审议通过，180亿元资金分项目、分阶段的投放节奏，以及两大项目的具体技术目标与产能规划，预计将在后续公告和股东会材料中进一步披露，产业链供应商的订单兑现情况将成为观察项目落地的直接指标。
