长鑫科技宣布年底推出融合4F?架构的DDR5 RDIMM产品

第四届集成芯片和芯粒大会于10月9日至10日在上海举行。长鑫科技总裁曹堪宇在会上介绍了公司在DRAM器件、4F?架构及混合键合方向的技术积累，并宣布预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

长鑫自2019年起推进混合键合技术研发，目前已公开相关专利数量居全球前十。其4F?架构核心为自研VSG晶体管，通过晶圆级混合键合实现DRAM与CMOS工艺解耦。2025年，长鑫在IEDM发表论文，介绍多层水平单元堆叠DRAM架构成果，并完成12英寸晶圆平台实验验证。目前该公司已公开4F?相关专利族超300件。