长鑫科技宣布4F?架构技术突破 新一代DDR5 RDIMM预计年底推出

近日在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇介绍了公司在DRAM器件、4F?架构及混合键合方向的技术进展。公司正式宣布，预计今年年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

4F?架构相较于行业主流的6F?能实现存储密度提升，其核心在于将晶体管沟道由水平布局改为竖向排列。长鑫科技在DRAM存储阵列晶体管上实现底层创新，推出自研的VSG（垂直包围沟道结构）晶体管，以增强栅控能力并解决漏电与短沟道效应。该系列DDR5 RDIMM产品主要面向服务器市场，需满足严格的运行稳定性与系统兼容性标准。