慧荣科技展出最新SM2260 交钥匙式PCIe SSD 控制芯片解决方案

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2016年08月16日14:02 来源:移动通信网T|T

【移动通信网】2016年8月12日,美国加州圣克拉拉——一年一度的内存峰会(FlashMemorySummit)于当地时间8月9日至11日,在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂,纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(SiliconMotionTechnologyCorporation,纳斯达克交易代码:SIMO)在本次峰会中展出首款PCIeSSD控制芯片解决方案SM2260,作为PCIe3.0NVMe1.2的控制芯片,SM2260为8通道设计,最高可支持2TB容量。

图一:慧荣科技展出SM2260解决方案

在本次展会中,我们还可以看到此款SM2260搭配3DNAND的效能表现:读取速度可达2370MB,输写速度为1039MB,读写表现可圈可点。另外,SM2260控制器采用了RAID保护功能的专有NANDXtend"技术,有效提升解错能力,并确保数据的完整性。该款产品经过多项兼容性及稳定测试后才得以上巿,可谓众望所归。根据慧荣科技工作人员表示,SM2260已经被知名SSD厂商所采用,很快就会在巿场上看见。

图二:SM2260控制芯片各方面性能表现

除了SM2260PCIeSSD主控芯片外,慧荣科技还介绍了新推出的搭载3DTLCNAND的SM2258控制器,性能表现同样出色,完胜巿场上大多数SATASSD。

图三:SM2258控制芯片各方面性能表现

另外,在本次闪存峰会上,宝存科技也展出企业级SSD解决方案。

图四:宝存科技展台

宝存科技携ShannonDirect-IO"PCIeFlash及U.2(8639)PCIeFlash产品再度亮相闪存峰会。该系列产品不仅性能上不断完善,而且闪存颗粒工艺也由19/20nm更换为15nm,从成本上满足了企业对高性价比的追求。

图五:宝存科技推出的ShannonDirect-IO"PCIeFlash系列

图六:宝存科技推出的ShannonDirect-IO"U.2(8639)PCIeFlash系列

宝存科技预计将于今年下半年发布遵循NVMe标准的PCIeFlash产品,在本次展会现场可以找到该款产品的相关资料。宝存科技的NVMe是遵循PCIe标准的高速存储设备。相比Direct-IO"PCIeFlash基于标准PCIe的高度可定制化架构,宝存科技的NMVe会拥有更好的通用性,并且在中小容量段更有应用的优势。通过Direct-IO"和NMVe两条PCIe产品线的构建,满足不同用户对不同场景的性能需求。

图七:宝存科技NVMe产品性能数据

在今年全球闪存峰会中,除了一睹慧栄科技在闪存技术的优势外,也可以了解慧栄过去十年的成果。慧荣科技致今已经销售超过50倍颗闪存相关主控芯片,成为全球销售第一的王者品牌。

图八:慧荣科技过去十年发展历程


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