电子科技大学电子工程学院《面向 5G 的 CMOS 毫米波多通道芯片设计》

其研究团队认为：
1、从工艺角度：CMOS 工艺可媲美 III-V 族工艺，CMOS 毫米波器件同样适用于 5G 高频应用且具有低成本的优势；
2、从 5G 高频段应用角度：CMOS 毫米波芯片主要面临硅衬底器件模型建模，电路噪声增加，功放增益降低，多通道相控阵集成和传统封装损耗过大等几个方面的挑战。针对上述挑战，电子科技大学及国内外研究机构已有相应的解决方案；3、从产业现状角度：认为国内集成电路产业投资及人才缺口仍然比较大，期望国家针对集成电路产业能有更大投资额，同时期望更多有志青年投身集成电路产业。

中电科第五十五研究所《毫米波器件在 5G 中的应用》

介绍了GaAs工艺和GaN工艺的功率放大器方案以及混合工艺的前端模块方案。目前毫米波射频前端主要有 Si 全集成和 Si+GaAs 两种技术途径，钱峰副总工对这两种解决方案从性能（EVM、线性度、噪声系数等）、功耗、成本几个方面进行了详细的综合对比，认为 GaAs+GeSi 方案在性价比上更具优势。最后钱峰副总工介绍了中电科 55 所在 5G 毫米波领域所作的工作，作为国内外比较有影响力的研究机构，中电科 55 所在毫米波频段拥有一系列产品可以为未来 5G 应用提供丰富选择。

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5G高频段关键器件.pdf