此前,三星和高通宣布骁龙835将采用10nm FinFET工艺打造,并且已经开始生产,预计在2017年上半年到来,但是有关于该芯片的其他消息没有更多披露。今天,高通官方Twitter发文称,CES 2017上将聚焦骁龙835处理器。
高通官方称CES 2017将聚焦骁龙835(图片引自Twitter)
根据之前的消息,高通骁龙835处理器基于三星10nm FinFET制程工艺打造,支持Quick Charge 4.0快速充电技术,与上一代骁龙处理器相比,其空间效率可提升30% 、性能提升27% 、且能耗降低40%。它将取代骁龙821处理器成为高通最顶级的移动处理器。
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