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VOLTE路损耗怎计算?

VOLTE中路损是怎么计算来的?

浙江这边省公司给的说是

上行损耗 VOLTE上行MOS-VOLTE上行RTP IPMOS 
下行损耗 VOLTE下行RTP IPMOS-VOLTE下行MOS 

我纳闷了,MOS和路损有关系吗?

提问者: jady.zh  提问时间: 2016-06-02    
 
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问题答案 ( 1 )

可通过所得到的最大允许路径损耗,准确地得出TD-LTE网络的覆盖范围。我们以Cost·231-·Hata路损模型对LTE系统进行分析,其计算公式为:
  Pathloss(dB)= 46.3 + 33.9*log( f )-13.82*log(Hb)-a (Hm) + (44.9-6.55*log(Hb))*log(d) + Cm
  其中,f为载频(单位MHz),Hb为基站高度(单位m),Hm为UE高度,d为UE与eNB之间的距离(单位km),Cm为城市修正因子(大城市中心:3、城市:0、郊区:-1228、农村:-22.52)。



回答者: wj39016     回答时间:2016-06-02 14:43    

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